第424章制裁：百分百汽车关税
深城，海湾科技的三号楼，也是euv项目办公楼里的一楼实验室里。
徐申学带着几个集团高管在海湾科技的众人陪同下，参观了这台euv光刻机原型机。
euv光刻机这东西，光看外表也看不出来什么，就是一个大柜子……光看这个大柜子，普通人很难想象这东西的价格得至少一点五亿美元甚至更贵。
此时海湾科技的ceo王道林，则是一脸兴奋的向徐申学介绍着这台原型机的基本情况：“我们的这台原型机在研发的时候，已经历经了多次的试验机型的研发，以逐步提升技术水准！”
“如在关键技术参数，也就是数值孔径上，我们一开始只能做到0.25，而而这一水平的数值孔径下，哪怕是我们采用了波长更短极紫外光，但是最后做出来的分辨率依旧不行，第一代试验机的分辨率只有三十五纳米！”
“后续我们继续研发，通过多系统的整合，先进材料的进一步应用，把数值孔径提升到了0.33，也就是国外asl旗下产品的同等水准。”
“同时我们在其他子系统，尤其是光源系统以及镜片系统上也获得了巨大的技术进步，等到第二代试验机的时候，我们已经把分辨率提升到了二十纳米！”
“理论上来说，这个分辨率已经很不错，已经可以用来生产现在的这些十纳米等效工艺，十二纳米等效工艺，甚至等效七纳米的芯片了！”
“但是性价比太低了，现在的euv光刻机研发成本投入巨大，同时制造的硬件成本也会非常大，最后售价可能是现有的duv浸润式光刻机的两倍以上，但是euv光刻机的生产效率目前还无法提升，只维持在每小时一百片的水准，这意味着从商业价值上来说，第二代试验机依旧没有实际价值，同时当时的套刻精度也只有二点五纳米。”
“而我们目前量产的最先进的hduv-600b型光刻机，分辨率达到38纳米，套刻精度2.5纳米，已经可以很充分的满足10-14纳米工艺的芯片生产需求，性价比更高！”
“综合来看，第二代试验机因为性价比问题，并不具备商业化潜力，所以我们在第二代试验机的基础上继续进行改进！”
“从去年开始，我们开始第三代试验机的深度改进研发，主要是进一步提升分辨率以及套刻精度，此外也进一步提升机台的工作效率以及稳定性，为商业化生产做准备。”
“通过大量的技术研发，在仙女山旗下众多合作企业的配合下，我们先后对光源系统，曝光系统，机台系统等进行了大幅度的技术升级！”
“最终，我们做出来了这台第三代的试验机，同时也是量产型号的原型机：heuv-300a型！”
“经过大量的技术升级，目前我们的这台heuv-300a，分辨率已经达到了十三纳米，数值孔径为0.33，最重要的是套刻精度提升到了2纳米。”
“其中套刻精度的提升是一个巨大的技术进步，这意味着我们可以使用这台光刻机低成本的生产等效7纳米工艺的芯片，甚至生产等效五纳米工艺的芯片！”
徐申学搞了这么多年的半导体，多少对半导体设备以及工艺之间的关系能搞清楚了。
光是一听这个十四纳米工艺的分辨率，他就知道这台euv光刻机的巨大价值了。
芯片工艺能做到做好，是和光刻机的分辨率以及套刻精度息息相关的。
芯片工艺的好坏，芯片工厂一般用等效工艺来进行宣传，智云的十八纳米、十四纳米、十二纳米、十纳米都是属于等效工艺，台积电那边的二十纳米、十六纳米、十纳米工艺也是属于等效工艺……并不是说芯片的金属间隔真达到了这个程度。
芯片行业内一般使用多个关键数据来判断芯片工艺的好坏，而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。
如智云半导体的十四纳米工艺，其半金属间距是四十三纳米；而今年刚推向市场的等效十纳米工艺，其半金属间距是三十二纳米。
正在研发当中，预计明年投产的等效七纳米工艺，半金属间距是二十七。
隔壁的台积电以及四星，在各工艺节点上也差不多这个水准，有一些偏差，但是不会大。
而到了二十七纳米这个半金属间距，也就是等效七纳米工艺这个工艺节点后，duv浸润式光刻机受限于分辨率的限制已经到了物理理论极限了，很难再往下继续搞了，比如等效五纳米工艺就很难搞……当然，也不是说不行，如果套刻精度能够做到两纳米的程度，也能勉强高，但是成本会上天……
智云半导体以及对面的台积电，其实都在尝试用duv浸润式光刻机搞等效五纳米工艺的芯片……嗯，就是尝试把芯片的半金属间距做到大概二十五纳米的水准。
别看只是两纳米的半金属工艺的提升，但是依旧是一道难以夸张的天堑，难得很。
所以别看都在搞，但实际上都对这一技术路线望而止步……用duv浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片，这个太扯淡了，从商业角度来看完全不值得。
所以这两家芯片先进工艺的竞争对手，在使用duv浸润式光刻机制造等效五纳米工艺这一技术路线上，都是雷声大，雨点小……都在指望euv光刻机呢。
至于四星和英特尔，他们就更惨了，他们连十纳米工艺，嗯，也就是大概三十三半金属工艺节点都还没有搞出来呢。
等效七纳米，遥遥无期……
其中的英特尔是受限于各种情况，技术推进非常不顺利，只能在十四纳米工艺上修修改改。
而四星那边，则是之前被智云半导体挖走了梁松教授，没有顶级人才的协助下他们搞起来先进工艺也很难，现在还在十四纳米工艺里打转。
同时，这两家半导体厂商，现在也开始指望用euv光刻机搞后续的七纳米工艺……用duv浸润式光刻机玩四重曝光，然后搞等效七纳米，太尼玛难了。
所以，duv浸润式光刻机受限于本身的分辨率限制，别说搞等效五纳米了，就算是用来做等效七纳米工艺，也是千难万难……也不是搞不了，而是良率太低了，进而导致芯片成本暴涨。
而芯片可是一个非常讲究性价比的东西，你性能没提升多少，但是成本暴涨好几倍，这是没有市场价值可言的。
到了等效七纳米工艺这个阶段，其实就需要euv光刻机了……因为它的分辨率更低，哪怕是单次曝光也能够达到duv浸润式光刻机四重曝光的精度……这意味着什么
省钱啊！
哪怕euv光刻机更贵，生产效率更低，但是因为不需要四重曝光就能生产等效七纳米乃至五纳米工艺的芯片，因此生产出来的等效七纳米，五纳米工艺的芯片，其成本依旧低于duv浸润式光刻机。
当然，euv光刻机的潜力更大，后续还能够生产性能更好的芯片，这也是现在的duv浸润式光刻机所无法做到的。
比如等到未来，芯片工艺技术进一步发展，芯片的半金属间距进一步提升到四十多纳米、三十多纳米，甚至二十多纳米、十多纳米的时候……duv浸润式光刻机是无论如何都做不到的，这都和工艺没啥关系，而是物理极限就摆在这里，不能忽视基本的物理规律啊！
七纳米和五纳米阶段省钱，性价比高。
等效三纳米，二纳米，一点五纳米，一纳米阶段则是硬需求……没它就造不了。
上述这两点，就是徐申学不管如何都要搞euv光刻机的缘故！
顺带一提，哪怕是现在智云集团正在秘密研发，即将明年发布商用型号的超导量子计算机，它内部的核心零部件‘超导量子芯片’也是用光刻机生产的，而且对工艺要求很高，这需要高端光刻机。
倒是国内另外一些机构正在研发的光子量子计算机，虽然也需要光刻机来生产芯片，但是对光刻机的性能要求不算高。
而现在，随着这台第三代试验机的诞生，困扰智云集团，乃至困扰华夏电子工业的最后一道枷锁，就被彻底打破了。
所以现在徐申学最关心的问题就是：“这台原型机看起来已经相当成熟了，什么时候可以量产商用”
海湾科技的ceo王道林道：“我们设计这台原型机的时候，就是奔着量产型号去的，从技术角度来说，我们已经打通了所有的技术环节，随时可以生产更多的heuv-300a型的光刻机，但是它毕竟只是一台原型机，纵然理论可行，但是实际长时间使用会暴露什么问题，这依旧不明确，我们依旧需要对它进行一定时间的各种测试，找出来潜在的诸多问题。”
”但是下个月开始，我们可以为智云微电子开始提供少量的实验机型，用来进行前期的测试工作！”
“正式量产型号的话，还需要看后续的测试工作是否顺利，需要多长时间，而这方面还需要智云微电子这边进行配合！”
这个时候，徐申学看向了一旁跟着来视察的智云微电子的ceo丁成军：“你们这边还需要多久才能搞定这些测试工作”
丁成军斟酌着了会后道：“我们订购euv光刻机的话，必然是用在等效七纳米工艺以及未来的等效五纳米工艺之上的，目前我们的七纳米工艺的技术是建立在duv浸润式光刻机之上的，而这一套工艺和euv光刻机的工艺技术差别会很大！”
“之前我们虽然也获得了一些国外euv光刻机的秘密资料，也尝试进行了理论上的工艺开发准备工作，但是依旧很不完善！”
“当然，单纯光刻机测试工作我们有信心在一年内完成，euv光刻机的七纳米工艺有望在两年左右搞定！”
徐申学心中盘算了一番，这意味着明年冬天左右euv光刻机的量产型号，就能批量生产交付给智云微电子，等到后年下半年话应该就能完成euv光刻机等效七纳米工艺的技术认证，大后年初开始大规模投产。
进而取代现在死贵又不好用的duv浸润式光刻机的等效七纳米工艺。
这个时间表还可以接受。
至少比竞争对手asl加台积电要快……
为什么
因为按照徐申学手底下情报部门的打听，asl那边的euv光刻机项目一直都谈不上多顺利……也不是说技术不行，他们的技术来源全球各地，能获得很不错的各种子系统。
主要是今天这里出问题，明天那里出问题，拖时间……搞起来各种破事太多！
嗯，基本都是银河安保的功劳！